GP1M018A020PG

功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

制造商:global power technologies group

系列:-

包装:管件

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):170 毫欧 @ 9A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 25V

功率 - 最大值:94W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

供应商器件封装:I-Pak

标准包装:1

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